徐子骏
- 类别： 特聘青年研究员
- 研究方向：
半导体探测器由于体积小、工业化程度高等特性，被广泛应用在高能物理、核物理、航空航天、医学影像等领域。然而，我国这方面的研究起步较晚，急需增加投入。半导体探测器和芯片与十四五规划和2035年远景目标纲要中的需要攻关的“集成电路”、“人工智能”、“深空深地深海和极地探测”等多个前沿领域直接或间接相关。
本课题组以CEPC实验、LHCb实验和上游径迹探测器升级为着力点，聚焦于制作探测器芯片的新工艺和大面积硅探测器集成新技术等若干关键点，期望在抗辐照高精度径迹探测器上获得突破；与此同时，开展系统级探测器设计与物理测量联合优化，进一步挖掘探测器潜力。
- 学历： 博士研究生
- Email： xuzj@ihep.ac.cn
- 地址： 北京市石景山区玉泉路19号(乙)
- 邮编： 100049
2011至2017年，师从北京大学冒亚军教授，攻读粒子物理博士学位；2013至2017年，美国费米国家加速器实验室访问学者；2017至2022年，美国斯坦福大学和SLAC国家实验室博士后研究员；2022年5月加入中国科学院高能物理研究所，现任副研究员、特聘青年研究员、博导。
LHC是世界最大的强子对撞机，ATLAS和CMS是其上唯二通用型探测器。申请人做出贡献的物理分析包括多篇ATLAS和CMS合作组文章，主要为希格斯与电弱物理和新粒子的寻找。探测器技术是粒子物理实验的基础之一，故投入大量时间精力在CMS二期硬件级径迹触发系统预研和ATLAS二期硅径迹探测器升级项目，在合作组内作出突出贡献。
1）基于高压CMOS工艺研发单片型硅像素探测器
目前的粒子物理实验中成功应用的硅像素探测器多为复合型（hybrid）硅像素，即传感器和前端读出电路分开、通过倒装焊等技术连接。复合型像素探测器单元面积到50 ′ 50 mm2以下很难进一步降低，而且其结构特点决定其厚度（引起径迹散射的物质量）较难降低。集成传感器和前端电子学的单片型主动像素传感器（Monolithic Active Pixel Sensor, MAPS）从原理上突破这些限制，可在更小的像素单元内集成更丰富的功能。基于高压CMOS技术制作的MAPS单片型硅像素芯片是LHCb上游径迹探测器二期升级和CEPC径迹探测器最有希望的候选技术之一。研究团队期望在3年左右时间基于国产55nm工艺完成原理样机的研制。
2）大面积（10~100平方米）硅探测器集成
在半导体探测器向高空间、时间分辨率的同时，总覆盖面积也在快速增加（大约每十年增加十倍）。掌握大面积硅探测器研发的关键技术，将提升我国在先进探测器研发方面的核心竞争力。研究团队将在两年左右时间内完成AMS实验所需8平方米硅微条探测器模块和ATLAS实验所需10平方米硅微条探测器模块的生产，并将参与后续的探测器总体集成与测试；与此同时，将开展LHCb实验上游径迹探测器系统设计与研发。
